NE3512S02-A
Spesifikasi
Kategori:
Produk Semikonduktor Diskrit Transistor FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status Produk:
Usang
Tegangan - Nilai:
4 V
Kemasan:
Besi
Seri:
-
Angka Kebisingan:
0,35dB
Paket Perangkat Pemasok:
S02
Tegangan - Tes:
2 V
Mfr:
cel
frekuensi:
12GHz
memperoleh:
13,5dB
Paket / Kasus:
4-SMD, Lead Datar
Saat ini - Tes:
10 mA
Daya - Keluaran:
-
Teknologi:
GaAs HJ-FET
Peringkat Saat Ini (Amps):
70mA
Nomor produk dasar:
NE3512
pengantar
RF MOSFET 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB S02
Kirim RFQ
Saham:
In Stock
MOQ: